Novedades

Soporta la carga de resistencia (R), inductancia (L), condensador (C) y diodo; soporta la carga de componentes lumped en serie o en paralelo (RLC).

Soporta la configuración de monitores para el campo EM y el campo lejano que necesitan el cálculo de puntos o bandas de frecuencia antes de la simulación, lo que reduce el cálculo y acelera la simulación.

Mediante la programación y resolución remotas, el servidor envía y distribuye las tareas a otros ordenadores, liberando el local.

Se han añadido algunos materiales comunes a la biblioteca de materiales. Los usuarios pueden establecer materiales convencionales y de dispersión, e importar bibliotecas de materiales de terceros.

Después de barrer los parámetros, se generan automáticamente los resultados correspondientes para facilitar la optimización y el análisis del modelo.

El puerto de cara agrupada se añade para adaptarse a más escenarios de simulación. Y si la fuente de excitación de los componentes de microondas es una impedancia compleja, puede ser establecida por los usuarios.

Los resultados pueden ser procesados de nuevo de acuerdo con las expresiones matemáticas de entrada. Y las características de los resultados, como los valores máximos y mínimos, el ancho de banda, etc., pueden capturarse rápidamente.

Cuando la simulación no se ha completado, los usuarios pueden refrescar y ver los resultados calculados actualmente, lo cual es conveniente para evaluar en tiempo real.

Se puede comprobar la calidad de las mallas hexaédricas de Yee, lo cual es conveniente para que los usuarios evalúen la calidad de la malla.

Los usuarios pueden personalizar la biblioteca de modelos paramétricos, utilizar los modelos de la biblioteca directamente y modificarlos posteriormente.

Se permite que las líneas de las mallas pasen por los puntos críticos designados para controlar la generación de la malla.

Se añade el algoritmo de dominio de la frecuencia FEM, cuyas mallas tetraédricas pueden adaptarse a la superficie irregular de los objetos 3D, lo que lo hace adecuado para simular estructuras eléctricamente pequeñas y finas.

Puede establecer puntos de muestreo de frecuencia antes del cálculo para mejorar la eficacia de la simulación y reducir el número de datos de los resultados.

Inspeccione la corrección del modelo con avisos eficaces, para informarle mejor de los defectos del modelo, como las caras abiertas, y curarlas en consecuencia.

El nivel de simplificación de la malla puede ahora personalizarse, lo que permite reducir el número de mallas y mejorar la flexibilidad y la eficacia del mallado.

MLos parámetros de la malla pueden calcularse automáticamente en función de las características del modelo, lo que resulta más inteligente.

También se admiten más tipos y tres modos de modulación de la señal de excitación, para satisfacer diferentes necesidades de simulación. 

La velocidad de simulación se ha acelerado aún más gracias a los núcleos múltiples y a la GPU única.